DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 65 mΩ, 9,3 A, 9,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 65 mΩ, 9,3 A, 9,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 35 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 8,9 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 2.39mm, MPN: DMG4511SK4-13