Fairchild Semiconductor MOSFET, canale N, 2 Ω, 3,9 A, TO-220F, Su foro
Fairchild Semiconductor MOSFET, canale N, 2 Ω, 3,9 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 15.87mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: FDPF5N50NZU