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IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Energía nominal: 5.2mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 11.75

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 880 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Energía nominal: 3mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 11.98

1

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Energía nominal: 5.2mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 10.35

1

IXYS IGBT, IXXK100N60C3H1, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-264, 3-Pines, 20 to 60kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-264, 3-Pines, 20 to 60kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 695 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Energía nominal: 600mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXK100N60C3H1

EUR 18.56

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 880 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Energía nominal: 3mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 13.05

1

IXYS Diode Montage panneau, 36A, 1200V, TO-240AA

IXYS Diode Montage panneau, 36A, 1200V, TO-240AA, Configuration de diode: Série, Chute minimale de tension directe: 1.38V, Technologie de diode: Jonction au silicium, MPN: MDD26-12N1B

EUR 19.28

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 36A, 1200V, TO-240AA

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 36A, 1200V, TO-240AA, Configurazione diodi: Serie, Caduta di tensione diretta massima: 1.38V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, MPN: MDD26-12N1B

EUR 19.28

1

IXYS IGBT, IXXK100N60C3H1,, 100 A, 600 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 100 A, 600 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 695 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20 to 60kHz, Dimensions: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Indice énergétique: 600mJ, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXK100N60C3H1

EUR 18.56

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 880 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 10 to 30kHz, Dimensions: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Indice énergétique: 3mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 11.98

1

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 5 to 30kHz, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Indice énergétique: 5.2mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 10.35

1

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 5 to 30kHz, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Indice énergétique: 5.2mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 11.75

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 880 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 10 to 30kHz, Dimensions: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Indice énergétique: 3mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 13.05

1

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-264, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 695 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 20 to 60kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Classe di efficienza energetica: 600mJ, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXXK100N60C3H1

EUR 18.56

1

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 880 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 10 to 30kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Classe di efficienza energetica: 3mJ, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 13.05

1

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 625 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 5 to 30kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Classe di efficienza energetica: 5.2mJ, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 11.75

1

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 880 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 10 to 30kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Classe di efficienza energetica: 3mJ, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 11.98

1

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 625 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 5 to 30kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Classe di efficienza energetica: 5.2mJ, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 10.35

1

IXYS Diodo, MDD26-12N1B, 36A, 1200V, TO-240AA, 3-Pines

IXYS Diodo, 36A, 1200V, TO-240AA, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Configuración de diodo: Serie, Caída de tensión directa máxima: 1.38V, Tecnología de diodo: Conexión de silicio, MPN: MDD26-12N1B

EUR 19.28

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 10.26

1

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGH30N120B3D1

EUR 10.26

1

IXYS IGBT, IXGH32N170,, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH32N170

EUR 19.15

1

IXYS IGBT, IXGH32N170,, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH32N170

EUR 16.87

1

IXYS IGBT, IXGH24N170,, 50 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 50 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH24N170

EUR 17.36

1

IXYS IGBT, IXGH6N170,, 6 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 6 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH6N170

EUR 10.47

1

IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 10.45

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXK100N60C3H1, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-264, 3-Pines, 20 to 60kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS Diode Montage panneau, 36A, 1200V, TO-240AA

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 36A, 1200V, TO-240AA

IXYS IGBT, IXXK100N60C3H1,, 100 A, 600 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD

IXYS Diodo, MDD26-12N1B, 36A, 1200V, TO-240AA, 3-Pines

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-247

IXYS IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, IXGH32N170,, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH32N170,, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH24N170,, 50 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH6N170,, 6 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

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