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IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 595 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 31.89
1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 595 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 29.40
1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 76 A, SOT-227B, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 595 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTN102N65X2

EUR 27.76
1

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 200 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 14.82
1

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 200 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 16.26mm, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 13.62
1

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH30N50Q3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Q-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 200 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 690 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH30N50Q3

EUR 13.07
1

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 29.40
1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264P 100 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264P 100 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264P 100 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 20.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTK102N65X2

EUR 15.78
1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 76 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 76 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 76 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 595 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 31.89
1

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTN102N65X2, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 4-Pin, SOT-227B X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 31.89
1

IXYS MOSFET, IXFK100N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFK100N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P HiperFET, X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.7V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXFK100N65X2

EUR 17.21
1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 76 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 76 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 76 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 595 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTN102N65X2

EUR 29.40
1

IXYS MOSFET, IXTK102N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTK102N65X2, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 650 V, 3-Pin, TO-264P X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXTK102N65X2

EUR 14.96
1