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Infineon MOSFET canal N,, PG-T-SON-8-3 237 A 80 V

Infineon MOSFET canal N,, PG-T-SON-8-3 237 A 80 V, MPN: BSC019N08NS5ATMA1

EUR 4.02

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-T-SON-8-3 237 A 80 V

Infineon MOSFET canal N,, PG-T-SON-8-3 237 A 80 V, Type de montage: CMS, MPN: BSC019N08NS5ATMA1

EUR 4.10

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-T-SON-8-3 237 A 80 V

Infineon MOSFET canal N,, PG-T-SON-8-3 237 A 80 V, Type de montage: CMS, MPN: BSC019N08NS5ATMA1

EUR 3.41

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO220-3-1 70 A 120 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO220-3-1 70 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,0116 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPP70N12S311AKSA1

EUR 2.18

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO252-3-11 50 A 120 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO252-3-11 50 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,015 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPD50N12S3L15ATMA1

EUR 0.98

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO220-3-1 70 A 120 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO220-3-1 70 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,0116 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPP70N12S311AKSA1

EUR 2.18

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO252-3-11 50 A 120 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO252-3-11 50 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,015 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPD50N12S3L15ATMA1

EUR 1.75

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO263-3-2 50 A 120 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO263-3-2 50 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0154 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPB50N12S3L15ATMA1

EUR 1.98

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO263-3-2 50 A 120 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO263-3-2 50 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0154 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPB50N12S3L15ATMA1

EUR 1.24

1

Infineon Faible puissance,, BTS3035TFATMA1, PG-TO252-3, 3 broches

Infineon Faible puissance,, PG-TO252-3, 3 broches, MPN: BTS3035TFATMA1

EUR 0.79

1

Infineon Faible puissance,, BTS141BKSA1, PG-TO220-3, 3 broches

Infineon Faible puissance,, PG-TO220-3, 3 broches, MPN: BTS141BKSA1

EUR 2.51

1

Infineon Faible puissance,, BTS3018TCATMA1, PG-TO263-3, 3 broches

Infineon Faible puissance,, PG-TO263-3, 3 broches, MPN: BTS3018TCATMA1

EUR 4.41

1

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 70 A 120 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 70 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0111 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPD70N12S311ATMA1

EUR 1.16

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Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 70 A 120 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 70 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0111 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPD70N12S311ATMA1

EUR 1.87

1

Infineon IGBT, IHW40N65R6XKSA1,, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches

Infineon IGBT,, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches, MPN: IHW40N65R6XKSA1

EUR 2.82

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Infineon IGBT, AIKQ120N60CTXKSA1,, 2 V, PG-TO247-3, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 2 V, PG-TO247-3, 3 broches, Simple, MPN: AIKQ120N60CTXKSA1

EUR 11.88

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Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 35 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 35 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,026 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: OptiMOS™-T, MPN: IPD35N10S3L26ATMA1

EUR 1.37

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Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 35 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 35 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,026 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: OptiMOS™-T, MPN: IPD35N10S3L26ATMA1

EUR 0.77

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