Infineon MOSFET, canale N, 220 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 220 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 208 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.45mm, MPN: SPP20N60CFD