Nexperia MOSFET, canale N, 4,1 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro
Nexperia MOSFET, canale N, 4,1 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 114 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN3R4-30PL,127