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Nexperia Transistor, PBSS5320T,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,2 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS5320T

EUR 0.33

1

Nexperia Transistor, PBSS4350T,215, NPN 2 A 50 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor,215, NPN 2 A 50 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,2 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS4350T

EUR 0.18

1

Nexperia Transistor, PBSS4140T,215, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 450 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 200, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS4140T,215

EUR 0.23

1

Nexperia Transistor, PBSS5350T,215, PNP 2 A 50 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 2 A 50 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,2 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 80, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS5350T,215

EUR 0.34

1

Nexperia Transistor, PBSS4320T,215, NPN 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,2 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 150, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS4320T,215

EUR 0.13

1

Nexperia Transistor, PBSS5220T,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 480 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 150, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS5220T

EUR 0.17

1

Nexperia Transistor, PBSS5120T,215, PNP 1 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 1 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 480 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 200, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS5120T,215

EUR 0.11

1

Nexperia Transistor, PBSS5230T,215, PNP 2 A 30 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 200 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 2 A 30 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 200 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 480 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS5230T,215

EUR 0.32

1

Nexperia Transistor, PBSS5240T,215, PNP 2 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 200 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 2 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 200 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 480 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS5240T,215

EUR 0.25

1

Nexperia Transistor, PBSS4240T,215, NPN 2 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 230 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 2 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 230 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 480 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 150, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS4240T,215

EUR 0.25

1

Nexperia Transistor, PBSS5140T,215, PNP 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 450 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 160, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS5140T,215

EUR 0.25

1

Nexperia Transistor, PMMT491A,215, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 200, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PMMT491A,215

EUR 0.09

1

Nexperia MOSFET, PMV20XNER, N-Canal-Canal, 7,2 A, 30 V, 3-Pin, TO-236AB PMV20XNE Simple

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 7,2 A, 30 V, 3-Pin, TO-236AB PMV20XNE Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 6,94 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 12 V, Altura: 1mm, MPN: PMV20XNER

EUR 0.16

1

Nexperia MOSFET, PMV30UN2R, N-Canal-Canal, 5,4 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV30UN2 Simple

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 5,4 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV30UN2 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 12 V, Altura: 1mm, MPN: PMV30UN2R

EUR 0.17

1

Nexperia MOSFET, PMV16XNR, N-Canal-Canal, 8,6 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV16XN Simple

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 8,6 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV16XN Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 6,94 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 12 V, Altura: 1mm, MPN: PMV16XNR

EUR 0.17

1

Nexperia MOSFET, PMV30UN2R, N-Canal-Canal, 5,4 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV30UN2 Simple

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 5,4 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV30UN2 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 12 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMV30UN2R

EUR 0.37

1

Nexperia MOSFET, PMV20XNER, N-Canal-Canal, 7,2 A, 30 V, 3-Pin, TO-236AB PMV20XNE Simple

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 7,2 A, 30 V, 3-Pin, TO-236AB PMV20XNE Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 6,94 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 12 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMV20XNER

EUR 0.13

1

Nexperia MOSFET, PMV30UN2R, N-Canal-Canal, 5,4 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV30UN2 Simple

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 5,4 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV30UN2 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 12 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMV30UN2R

EUR 0.10

1

Nexperia MOSFET, PMV16XNR, N-Canal-Canal, 8,6 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV16XN Simple

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 8,6 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV16XN Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 6,94 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 12 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMV16XNR

EUR 0.11

1

Nexperia MOSFET, PMV16XNR, N-Canal-Canal, 8,6 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV16XN Simple

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 8,6 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV16XN Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 6,94 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 12 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMV16XNR

EUR 0.38

1

Nexperia MOSFET, PMV20XNER, N-Canal-Canal, 7,2 A, 30 V, 3-Pin, TO-236AB PMV20XNE Simple

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 7,2 A, 30 V, 3-Pin, TO-236AB PMV20XNE Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 6,94 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 12 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMV20XNER

EUR 0.36

1

Nexperia Transistor, PBSS5320T,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,2 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,3 V, MPN: PBSS5320T,215

EUR 0.10

1

Nexperia Transistor, PBSS4140T,215, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 450 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,5 V, MPN: PBSS4140T,215

EUR 0.50

1

Nexperia Transistor, PBSS4140T,215, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 450 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,5 V, MPN: PBSS4140T,215

EUR 0.09

1

Nexperia Transistor, PBSS5220T,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 480 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,25 V, MPN: PBSS5220T,215

EUR 0.10

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Marchand

Prix (EUR)

Nexperia Transistor, PBSS5320T,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS4350T,215, NPN 2 A 50 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS4140T,215, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS5350T,215, PNP 2 A 50 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS4320T,215, NPN 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS5220T,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS5120T,215, PNP 1 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS5230T,215, PNP 2 A 30 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 200 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS5240T,215, PNP 2 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 200 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS4240T,215, NPN 2 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 230 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS5140T,215, PNP 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PMMT491A,215, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia MOSFET, PMV20XNER, N-Canal-Canal, 7,2 A, 30 V, 3-Pin, TO-236AB PMV20XNE Simple

Nexperia MOSFET, PMV30UN2R, N-Canal-Canal, 5,4 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV30UN2 Simple

Nexperia MOSFET, PMV16XNR, N-Canal-Canal, 8,6 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV16XN Simple

Nexperia MOSFET, PMV30UN2R, N-Canal-Canal, 5,4 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV30UN2 Simple

Nexperia MOSFET, PMV20XNER, N-Canal-Canal, 7,2 A, 30 V, 3-Pin, TO-236AB PMV20XNE Simple

Nexperia MOSFET, PMV30UN2R, N-Canal-Canal, 5,4 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV30UN2 Simple

Nexperia MOSFET, PMV16XNR, N-Canal-Canal, 8,6 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV16XN Simple

Nexperia MOSFET, PMV16XNR, N-Canal-Canal, 8,6 A, 20 V, 3-Pin, TO-236AB PMV16XN Simple

Nexperia MOSFET, PMV20XNER, N-Canal-Canal, 7,2 A, 30 V, 3-Pin, TO-236AB PMV20XNE Simple

Nexperia Transistor, PBSS5320T,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS4140T,215, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS4140T,215, NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 150 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS5220T,215, PNP 2 A 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple

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