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Nexperia MOSFET, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, MPN: PMV65XP,215

EUR 0.19

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Nexperia Gate logico AND, 2 V → 5,5 V, 5 Pin, TSSOP

Nexperia Gate logico AND, 2 V → 5,5 V, 5 Pin, TSSOP, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero di elementi: 1, Ingresso trigger di Schmitt: No, Famiglia logica: AHC, Corrente massima di uscita ad alto livello: -8mA, Ritardo di propagazione massimo @ CL max: 12.3 ns @ 3 V to 3.6 V, 7.9 ns @ 4.5 V to 5.5 V, Dimensioni: 2.25 x 1.35 x 1mm, MPN: 74AHC1G08GW,125

EUR 0.05

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Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Altezza: 1mm, MPN: PMV30UN2R

EUR 0.17

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Nexperia MOSFET, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 6,94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Altezza: 1mm, MPN: PMV16XNR

EUR 0.17

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Nexperia MOSFET, canale N, 38 mΩ, 7,2 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 38 mΩ, 7,2 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 6,94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Altezza: 1mm, MPN: PMV20XNER

EUR 0.16

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Nexperia MOSFET, canale N, 3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 306 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN3R0-60PS,127

EUR 2.79

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Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMV30UN2R

EUR 0.10

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Nexperia MOSFET, canale N, 38 mΩ, 7,2 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 38 mΩ, 7,2 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 6,94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMV20XNER

EUR 0.13

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Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN4R3-30PL,127

EUR 1.45

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Nexperia MOSFET, canale N, 4,1 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 4,1 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 114 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN3R4-30PL,127

EUR 1.14

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Nexperia MOSFET, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 6,94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMV16XNR

EUR 0.11

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Nexperia MOSFET, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

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EUR 0.38

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Nexperia MOSFET, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.47V, Dissipazione di potenza massima: 1920 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±12 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMV65XP,215

EUR 0.36

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Nexperia MOSFET, canale N, 38 mΩ, 7,2 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 38 mΩ, 7,2 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 6,94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMV20XNER

EUR 0.36

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Nexperia MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 270 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN1R8-30PL,127

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Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMV30UN2R

EUR 0.37

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Nexperia MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN2R7-30PL,127

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Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

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Nexperia MOSFET, canale N, 4,6 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 4,6 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 148 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN4R5-40PS,127

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Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN4R3-30PL,127

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Nexperia MOSFET, canale N, 4,7 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 270 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN5R0-80PS,127

EUR 1.53

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Nexperia MOSFET, canale N, 3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 306 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN3R0-60PS,127

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Nexperia MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

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EUR 3.00

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Nexperia MOSFET, canale N, 14 mΩ, 90 A, TO-220AB, Su foro

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Nexperia MOSFET, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia Gate logico AND, 2 V → 5,5 V, 5 Pin, TSSOP

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

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Nexperia MOSFET, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

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