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ROHM IGBT, RGT40TS65DGC11,, 40 A, 650 V, TO-247N, 3+Tab broches, Simple

ROHM IGBT,, 40 A, 650 V, TO-247N, 3+Tab broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: 30V, Dissipation de puissance maximum: 144 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16 x 5 x 9mm, Capacité de grille: 1070pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: RGT40TS65DGC11

EUR 683.29

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ROHM Module d'alimentation en carbure de silicium canal N,, C 300 A 1200 V, 4 broches

ROHM Module d'alimentation en carbure de silicium canal N,, C 300 A 1200 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.6V, Dissipation de puissance maximum: 1875 W, Longueur: 152mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Matériau du transistor: SiC, Largeur: 57.95mm, MPN: BSM300D12P2E001

EUR 1026.84

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ROHM Module d'alimentation en carbure de silicium canal N,, C 180 A 1200 V, 4 broches

ROHM Module d'alimentation en carbure de silicium canal N,, C 180 A 1200 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.6V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.7V, Dissipation de puissance maximum: 880 W, Longueur: 122mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Matériau du transistor: SiC, Largeur: 45.6mm, MPN: BSM180D12P3C007

EUR 855.38

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ROHM Module d'alimentation en carbure de silicium canal N,, C 120 A 1200 V, 4 broches

ROHM Module d'alimentation en carbure de silicium canal N,, C 120 A 1200 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.6V, Dissipation de puissance maximum: 935 W, Longueur: 122mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Matériau du transistor: SiC, Largeur: 45.6mm, MPN: BSM120D12P2C005

EUR 557.21

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ROHM Módulo de potencia SiC, BSM300D12P2E001, Dual, N-Canal-Canal, 300 A, 1.200 V, 4-Pin, C BSM SiC

ROHM Módulo de potencia SiC, Dual, N-Canal-Canal, 300 A, 1.200 V, 4-Pin, C BSM SiC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.6V, Disipación de Potencia Máxima: 1875 W, Longitud: 152mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Ancho: 57.95mm, MPN: BSM300D12P2E001

EUR 1026.84

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Prix (EUR)

ROHM IGBT, RGT40TS65DGC11,, 40 A, 650 V, TO-247N, 3+Tab broches, Simple

ROHM Module d'alimentation en carbure de silicium canal N,, C 300 A 1200 V, 4 broches

ROHM Module d'alimentation en carbure de silicium canal N,, C 180 A 1200 V, 4 broches

ROHM Module d'alimentation en carbure de silicium canal N,, C 120 A 1200 V, 4 broches

ROHM Módulo de potencia SiC, BSM300D12P2E001, Dual, N-Canal-Canal, 300 A, 1.200 V, 4-Pin, C BSM SiC

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