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STMicroelectronics Diodo de protección ESD Unidireccional, OCVPB21-13F6, WLCSP, 13-Pines

STMicroelectronics Diodo de protección ESD Unidireccional, WLCSP, 13-Pines, MPN: OCVPB21-13F6

EUR 1.81

1

STMicroelectronics MOSFET, STD18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, DPAK M6 Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, DPAK M6 Si, MPN: STD18N60M6

EUR 1.83

1

STMicroelectronics Diodo de protección ESD Unidireccional, OCVPB21-13F6, WLCSP, 13-Pines

STMicroelectronics Diodo de protección ESD Unidireccional, WLCSP, 13-Pines, Configuración de diodo: Matriz compleja, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 2, MPN: OCVPB21-13F6

EUR 0.82

1

STMicroelectronics Diodo de protección ESD Unidireccional, OCVPB21-13F6, WLCSP, 13-Pines

STMicroelectronics Diodo de protección ESD Unidireccional, WLCSP, 13-Pines, Configuración de diodo: Matriz compleja, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 2, MPN: OCVPB21-13F6

EUR 1.85

1

STMicroelectronics Controlador LED, HVLED001ATR, encapsulado SSO, 10 pines, 13 V

STMicroelectronics Controlador LEDTR, encapsulado SSO, 10 pines, 13 V, Corriente de Alimentación Máxima: 3,15 mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Tensión de Salida: 14,5 V, Ancho: 4mm, MPN: HVLED001A

EUR 0.52

1

STMicroelectronics MOSFET, STD18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, DPAK M6 Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, DPAK M6 Si, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,23 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, MPN: STD18N60M6

EUR 1.33

1

STMicroelectronics MOSFET, STD18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, DPAK M6 Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, DPAK M6 Si, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,23 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, MPN: STD18N60M6

EUR 2.45

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STB18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, D2PAK Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, D2PAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 m. Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.25V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Tensión de diodo directa: 1.6V, Altura: 4.37mm, MPN: STB18N60M6

EUR 2.66

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STB18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, D2PAK Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, D2PAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.25V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STB18N60M6

EUR 1.39

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STB18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, D2PAK Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, D2PAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.25V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STB18N60M6

EUR 2.83

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STF18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, TO-220FP Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, TO-220FP Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.25V, Disipación de Potencia Máxima: 25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STF18N60M6

EUR 2.58

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STF18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, TO-220FP Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, TO-220FP Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.25V, Disipación de Potencia Máxima: 25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STF18N60M6

EUR 2.28

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STF18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, TO-220FP Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, TO-220FP Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 m. Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.25V, Disipación de Potencia Máxima: 25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Tensión de diodo directa: 1.6V, Altura: 16.4mm, MPN: STF18N60M6

EUR 2.42

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STF18NM60ND, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh

STMicroelectronics Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 290 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 16.4mm, Longitud: 10.6mm, MPN: STF18NM60ND

EUR 1.31

1

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 285 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP18NM60N

EUR 2.29

1

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 285 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP18NM60N

EUR 2.27

1

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 285 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP18NM60N

EUR 2.69

1

STMicroelectronics MOSFET, STB18NM60ND, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) FDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 290 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 130 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 4.4mm, MPN: STB18NM60ND

EUR 1.43

1

STMicroelectronics MOSFET, STP13NK60Z, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 550 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 9.15mm, MPN: STP13NK60Z

EUR 2.35

1

STMicroelectronics MOSFET, STP18N55M5, N-Canal-Canal, 13 A, 550 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 550 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh M5 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 90 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP18N55M5

EUR 2.74

1

STMicroelectronics MOSFET, STP18N60M2, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh M2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh M2 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP18N60M2

EUR 1.88

1

STMicroelectronics MOSFET, STD10NF10T4, N-Canal-Canal, 13 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.4mm, MPN: STD10NF10T4

EUR 1.15

1

STMicroelectronics MOSFET, STW13NK100Z, N-Canal-Canal, 13 A, 1000 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 1000 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 700 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 350000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW13NK100Z

EUR 10.37

1

STMicroelectronics MOSFET, STF18N60M2, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh M2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh M2 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 16.4mm, MPN: STF18N60M2

EUR 2.04

1

STMicroelectronics MOSFET, STP13NK60ZFP, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 550 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 35 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 16.4mm, MPN: STP13NK60ZFP

EUR 4.06

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Diodo de protección ESD Unidireccional, OCVPB21-13F6, WLCSP, 13-Pines

STMicroelectronics MOSFET, STD18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, DPAK M6 Si

STMicroelectronics Diodo de protección ESD Unidireccional, OCVPB21-13F6, WLCSP, 13-Pines

STMicroelectronics Diodo de protección ESD Unidireccional, OCVPB21-13F6, WLCSP, 13-Pines

STMicroelectronics Controlador LED, HVLED001ATR, encapsulado SSO, 10 pines, 13 V

STMicroelectronics MOSFET, STD18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, DPAK M6 Si

STMicroelectronics MOSFET, STD18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, DPAK M6 Si

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STB18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, D2PAK Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STB18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, D2PAK Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STB18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, D2PAK Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STF18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, TO-220FP Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STF18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, TO-220FP Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STF18N60M6, N-Canal-Canal, 13 A, 3-Pin, TO-220FP Simple

STMicroelectronics Transistor MOSFET, STF18NM60ND, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM60N, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB18NM60ND, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP13NK60Z, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18N55M5, N-Canal-Canal, 13 A, 550 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18N60M2, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh M2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STD10NF10T4, N-Canal-Canal, 13 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW13NK100Z, N-Canal-Canal, 13 A, 1000 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF18N60M2, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh M2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP13NK60ZFP, N-Canal-Canal, 13 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Simple Si

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