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STMicroelectronics IGBT, STGB18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 16V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 10.4 x 9.35 x 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: STGB18N40LZT4

EUR 2.24

1

STMicroelectronics IGBT, STGB18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 16V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 10.4 x 9.35 x 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: STGB18N40LZT4

EUR 1.26

1

STMicroelectronics IGBT, STGB18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 16V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Longitud: 10.4mm, Ancho: 9.35mm, Altura: 4.6mm, Dimensiones: 10.4 x 9.35 x 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STGB18N40LZT4

EUR 2.24

1

STMicroelectronics IGBT, STGD18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 16V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Longitud: 6.6mm, Ancho: 6.2mm, Altura: 2.4mm, Dimensiones: 6.6 x 6.2 x 2.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STGD18N40LZT4

EUR 1.59

1

STMicroelectronics IGBT, STGD18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 16V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 6.6 x 6.2 x 2.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: STGD18N40LZT4

EUR 0.97

1

STMicroelectronics IGBT, STGD18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 16V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 6.6 x 6.2 x 2.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: STGD18N40LZT4

EUR 1.86

1

STMicroelectronics Diodo, STPSC10H12GY-TR, 10A, 1200V, D2PAK, 2 + Tab-Pines

STMicroelectronics Diodo, 10A, 1200V, D2PAK, 2 + Tab-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Diodo: Schottky, Caída de tensión directa máxima: 2.25V, Tecnología de diodo: Schottky SiC, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 71 A, 420 A, MPN: STPSC10H12GY-TR

EUR 6.41

1

STMicroelectronics Diodo, STPSC10H12GY-TR, 10A, 1200V, D2PAK, 2 + Tab-Pines

STMicroelectronics Diodo, 10A, 1200V, D2PAK, 2 + Tab-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Diodo: Schottky, Caída de tensión directa máxima: 2.25V, Tecnología de diodo: Schottky SiC, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 71 A, 420 A, MPN: STPSC10H12GY-TR

EUR 6.82

1

STMicroelectronics Diodo, STPSC10H12GY-TR, 10A, 1200V, D2PAK, 2 + Tab-Pines

STMicroelectronics Diodo, 10A, 1200V, D2PAK, 2 + Tab-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Diodo: Schottky, Caída de tensión directa máxima: 2.25V, Tecnología de diodo: Schottky SiC, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 71 A, 420 A, MPN: STPSC10H12GY-TR

EUR 4.06

1

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60DM2, N-Canal-Canal, 10 A, 3-Pin, DPAK Simple

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 10 A, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 420 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STD11N60DM2

EUR 0.90

1

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60DM2, N-Canal-Canal, 10 A, 3-Pin, DPAK Simple

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 10 A, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 420 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Tensión de diodo directa: 1.6V, Altura: 2.17mm, MPN: STD11N60DM2

EUR 1.65

1

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60DM2, N-Canal-Canal, 10 A, 3-Pin, DPAK Simple

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 10 A, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 420 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STD11N60DM2

EUR 1.98

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics IGBT, STGB18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, STGB18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, STGB18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, STGD18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, STGD18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics IGBT, STGD18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple

STMicroelectronics Diodo, STPSC10H12GY-TR, 10A, 1200V, D2PAK, 2 + Tab-Pines

STMicroelectronics Diodo, STPSC10H12GY-TR, 10A, 1200V, D2PAK, 2 + Tab-Pines

STMicroelectronics Diodo, STPSC10H12GY-TR, 10A, 1200V, D2PAK, 2 + Tab-Pines

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60DM2, N-Canal-Canal, 10 A, 3-Pin, DPAK Simple

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60DM2, N-Canal-Canal, 10 A, 3-Pin, DPAK Simple

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60DM2, N-Canal-Canal, 10 A, 3-Pin, DPAK Simple

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