STMicroelectronics MOSFET, canale N, 700 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 700 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW13NK100Z