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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP, MPN: STP33N60DM6

EUR 3.92

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP, MPN: STF33N60DM6

EUR 3.80

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, D²PAK

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, D²PAK, MPN: STB33N60DM6

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STMicroelectronics Raddrizzatore controllato silicio SCR, TO-247, 3 Pin, 25, 1200V

STMicroelectronics Raddrizzatore controllato silicio SCR, TO-247, 3 Pin, 25, 1200V, MPN: TN4050-12WL

EUR 2.77

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 25 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 25 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: STB33N60DM2

EUR 1.51

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 25 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 25 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB33N60DM2

EUR 1.47

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 25 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 25 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB33N60DM2

EUR 1.51

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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT™, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 8.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL45N60DM6

EUR 6.95

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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT™, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 8.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL45N60DM6

EUR 3.82

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STMicroelectronics Raddrizzatore controllato silicio SCR, TO-247, 3 Pin, 25, 1200V

STMicroelectronics Raddrizzatore controllato silicio SCR, TO-247, 3 Pin, 25, 1200V, Sovracorrente nominale: 400A, Corrente di gate trigger massima: 50mA, MPN: TN4050-12WL

EUR 2.64

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STMicroelectronics Raddrizzatore controllato silicio SCR, TO-247, 3 Pin, 25, 1200V

STMicroelectronics Raddrizzatore controllato silicio SCR, TO-247, 3 Pin, 25, 1200V, Sovracorrente nominale: 400A, Corrente di gate trigger massima: 50mA, MPN: TN4050-12WL

EUR 3.09

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 25 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 25 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF25N10F7

EUR 0.42

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 25 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 25 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STF25N10F7

EUR 0.41

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 25 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 25 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STF25N10F7

EUR 0.42

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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT™, Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 110 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Tensione diretta del diodo: 1.5V, Altezza: 0.9mm, MPN: STL45N60DM6

EUR 6.53

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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 190 μΩ, 25 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 190 μΩ, 25 A, TO-220, Su foro, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP26N65DM2

EUR 3.26

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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 190 Ω, 25 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 190 Ω, 25 A, TO-220, Su foro, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP26N65DM2

EUR 3.82

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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 190 Ω, 25 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 190 Ω, 25 A, TO-220, Su foro, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 190 μ Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP26N65DM2

EUR 3.59

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Materiale del transistor: SiC, MPN: STF33N60DM6

EUR 4.45

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, D²PAK

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, D²PAK, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Materiale del transistor: SiC, MPN: STB33N60DM6

EUR 5.55

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Materiale del transistor: SiC, MPN: STP33N60DM6

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Materiale del transistor: SiC, MPN: STP33N60DM6

EUR 4.51

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, D²PAK

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, D²PAK, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Materiale del transistor: SiC, MPN: STB33N60DM6

EUR 3.04

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Materiale del transistor: SiC, MPN: STF33N60DM6

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 25 mΩ, 40 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 25 mΩ, 40 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Resistenza massima drain source: 25 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 50 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±22 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: STL40DN3LLH5

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Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, TO-220FP

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,115 Ω, 25 A, D²PAK

STMicroelectronics Raddrizzatore controllato silicio SCR, TO-247, 3 Pin, 25, 1200V

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 25 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 25 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 25 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT , Montaggio superficiale

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STMicroelectronics Raddrizzatore controllato silicio SCR, TO-247, 3 Pin, 25, 1200V

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 35 mΩ, 25 A, TO-220FP, Su foro

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