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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,308 Ω, 11 A, HV

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,308 Ω, 11 A, HV, MPN: STL19N60M6

EUR 5.18

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,308 Ω, 11 A, HV

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,308 Ω, 11 A, HV, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 5, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Serie: M6, MPN: STL19N60M6

EUR 1.90

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,308 Ω, 11 A, HV

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,308 Ω, 11 A, HV, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 5, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Serie: M6, MPN: STL19N60M6

EUR 6.11

1

STMicroelectronics Kit di sviluppo frame and battery, Mini drone kit with flight controller unit, motors, propellers

STMicroelectronics Kit di sviluppo frame and battery, Mini drone kit with flight controller unit, motors, propellers, Dispositivo completo: STEVAL-DRONE01

EUR 48.70

1

STMicroelectronics Amplificatore sensori di corrente, alimentazione singola, 1 canale per chip, 8 Pin, Mini SO-8, Rail to Rail

STMicroelectronics Amplificatore sensori di corrente, alimentazione singola, 1 canale per chip, 8 Pin, Mini SO-8, Rail to Rail, MPN: TSC2012IYST

EUR 3.64

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STMicroelectronics AEC-Q100 Driver gate MOSFET VND7040AJTR, 11 A, 28V, PowerSSO, 16-Pin

STMicroelectronics AEC-Q100 Driver gate MOSFET VND7040AJTR, 11 A, 28V, PowerSSO, 16-Pin, Topologia: Lato alto, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 4.9 x 3.9 x 1.6mm, Lunghezza: 4.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C

EUR 1.41

1

STMicroelectronics AEC-Q100 Driver gate MOSFET VN7040AJTR, 11 A, 28V, PowerSSO, 16-Pin

STMicroelectronics AEC-Q100 Driver gate MOSFET VN7040AJTR, 11 A, 28V, PowerSSO, 16-Pin, Topologia: Lato alto, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 4.9 x 3.9 x 1.6mm, Lunghezza: 4.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C

EUR 0.95

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD13N60DM2

EUR 1.05

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD13N60DM2

EUR 1.94

1

STMicroelectronics Amplificatore sensori di corrente, alimentazione singola, 1 canale per chip, 8 Pin, Mini SO-8, Rail to Rail

STMicroelectronics Amplificatore sensori di corrente, alimentazione singola, 1 canale per chip, 8 Pin, Mini SO-8, Rail to Rail, Tipo di alimentazione: Singolo, Tensione di alimentazione singola tipica: 5,5 V, CMRR minimo: 115, MPN: TSC2012IYST

EUR 4.30

1

STMicroelectronics Amplificatore sensori di corrente, alimentazione singola, 1 canale per chip, 8 Pin, Mini SO-8, Rail to Rail

STMicroelectronics Amplificatore sensori di corrente, alimentazione singola, 1 canale per chip, 8 Pin, Mini SO-8, Rail to Rail, Tipo di alimentazione: Singolo, Tensione di alimentazione singola tipica: 5,5 V, CMRR minimo: 115, MPN: TSC2012IYST

EUR 2.35

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 710 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB15N65M5

EUR 0.91

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 360 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, Altezza: 2.17mm, MPN: STD13N60DM2

EUR 1.65

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 11 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 11 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 33 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP75NS04Z

EUR 1.64

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 11 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 11 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 33 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP75NS04Z

EUR 1.93

1

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe A-B, Single Ended, 11 Pin, alim. Duale, 14W, MULTIWATT V

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe A-B, Single Ended, 11 Pin, alim. Duale, 14W, MULTIWATT V, Applicazione: Altoparlante, televisione, Tipo di montaggio: Su foro, Segnale in ingresso: Singolo, Dimensioni: 19.6 x 5 x 17.75mm, Massima temperatura operativa: +70 °C, MPN: TDA7269A

EUR 3.92

1

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe A-B, Single Ended, 11 Pin, alim. Duale, 14W, MULTIWATT V

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe A-B, Single Ended, 11 Pin, alim. Duale, 14W, MULTIWATT V, Applicazione: Altoparlante, televisione, Tipo di montaggio: Su foro, Segnale in ingresso: Singolo, Dimensioni: 19.6 x 5 x 17.75mm, Massima temperatura operativa: +70 °C, MPN: TDA7269A

EUR 3.41

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF13NM60N

EUR 3.53

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP13NM60ND

EUR 2.87

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 710 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP15N65M5

EUR 0.92

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 710 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF15N65M5

EUR 2.11

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB11NM80T4

EUR 7.82

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB11NM80T4

EUR 4.78

1

STMicroelectronics Motor Driver c.c. con spazzole, Full bridge, MULTIWATT V, 11-Pin

STMicroelectronics Motor Driver c.c. con spazzole, Full bridge, MULTIWATT V, 11-Pin, Corrente massima collettore IGBT: 4A, Tensione massima collettore emitter: 48 V, Tipo di montaggio: Su foro, Tensione di alimentazione operativa minima: 12 V, Dimensioni: 19.6 x 5 x 10.7mm, Lunghezza: 19.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 5mm, MPN: L6203

EUR 8.24

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 11 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 11 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 28 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGF14NC60KD

EUR 1.45

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,308 Ω, 11 A, HV

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,308 Ω, 11 A, HV

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,308 Ω, 11 A, HV

STMicroelectronics Kit di sviluppo frame and battery, Mini drone kit with flight controller unit, motors, propellers

STMicroelectronics Amplificatore sensori di corrente, alimentazione singola, 1 canale per chip, 8 Pin, Mini SO-8, Rail to Rail

STMicroelectronics AEC-Q100 Driver gate MOSFET VND7040AJTR, 11 A, 28V, PowerSSO, 16-Pin

STMicroelectronics AEC-Q100 Driver gate MOSFET VN7040AJTR, 11 A, 28V, PowerSSO, 16-Pin

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Amplificatore sensori di corrente, alimentazione singola, 1 canale per chip, 8 Pin, Mini SO-8, Rail to Rail

STMicroelectronics Amplificatore sensori di corrente, alimentazione singola, 1 canale per chip, 8 Pin, Mini SO-8, Rail to Rail

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 11 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 11 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe A-B, Single Ended, 11 Pin, alim. Duale, 14W, MULTIWATT V

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe A-B, Single Ended, 11 Pin, alim. Duale, 14W, MULTIWATT V

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Motor Driver c.c. con spazzole, Full bridge, MULTIWATT V, 11-Pin

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 11 A, canale N, TO-220FP

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