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STMicroelectronics MOSFET, canale P, 26 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 26 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 26 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 75 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL42P4LLF6

EUR 0.71
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP24NF10

EUR 1.86
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 70 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP24NF10

EUR 1.68
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW33N60M2

EUR 4.80
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW33N60M2

EUR 5.66
1