STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 195 mΩ, 15 A, TO-220, Su foro
STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 195 mΩ, 15 A, TO-220, Su foro, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 195 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP26N60DM6