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STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK 11 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK 11 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK 11 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 360 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD13N60DM2

EUR 1.05
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK 11 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK 11 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK 11 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 360 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD13N60DM2

EUR 1.94
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 11 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 360 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP13NM60N

EUR 3.92
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.97
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 11 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 360 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP13NM60N

EUR 4.60
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 11.57
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 11 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 360 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF13NM60N

EUR 3.54
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 11 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 360 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF13NM60N

EUR 4.18
1

STMicroelectronics Classe D Amplificateur opérationnel audio Audio Monolithique 360kHz 57dB, DFN 1.7W 8 broches +85 °C

STMicroelectronics Classe D Amplificateur opérationnel audio Audio Monolithique 360kHz 57dB, DFN 1.7W 8 broches +85 °C

STMicroelectronics Classe D Amplificateur opérationnel audio Audio Monolithique 360kHz 57dB, DFN 1.7W 8 broches +85 °C, Type d'amplificateur: Classe-D, Application: Aviation, automobile, militaire, téléphones mobiles, ordinateur portable, PDA, Puissance maximum: 1.7 W @ 8 Ω, 2.8 W @ 4 Ω, Type de montage: CMS, Tension d'alimentation asymétrique typique: 2,4 → 5,5 V, Type d'alimentation: Simple, Type de signal d'entrée: Différentiel, Asynchrone, Produit gain bande typique: 360 (Max)kHz, Dimensions: 3.15 x 3.15 x 0.6mm, MPN: TS4962IQT

EUR 0.83
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.6V, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.95
1