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STMicroelectronics Diode de commutation, 8A, 400V, TO-220AC, 2 broches

STMicroelectronics Diode de commutation, 8A, 400V, TO-220AC, 2 broches

STMicroelectronics Diode de commutation, 8A, 400V, TO-220AC, 2 broches, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.5V, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Longueur: 10.4mm, Largeur: 4.6mm, Hauteur: 15.75mm, Dimensions: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, MPN: STTH8R04D

EUR 1.47
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF2N80K5

EUR 1.44
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 16.4mm, MPN: STF2N80K5

EUR 1.22
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 16.4mm, MPN: STF2N95K5

EUR 1.02
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF2N80K5

EUR 1.29
1