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STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.25mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 3.27
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 5.19
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.25mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 5.96
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 2.85
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 180 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP310N10F7

EUR 5.05
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 80 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 21 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 2.27
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 180 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP310N10F7

EUR 4.29
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 80 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 21 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 4.17
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