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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 95 mΩ, 30 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 95 mΩ, 30 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 95 mΩ, 30 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 710 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB38N65M5

EUR 10.17
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 30 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 30 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 30 A 710 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 95 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB38N65M5

EUR 10.17
1

STMicroelectronics MOSFET, STB38N65M5, N-Canal-Canal, 30 A, 710 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB38N65M5, N-Canal-Canal, 30 A, 710 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 710 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh M5 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 95 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STB38N65M5

EUR 10.17
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 8 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 320 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW9N150

EUR 13.44
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 417 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW45NM50

EUR 13.36
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 417 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW45NM50

EUR 11.57
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 15 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 15 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 15 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW15NK90Z

EUR 10.35
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 45 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 417 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW45NM60

EUR 13.79
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 8 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 320 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW9N150

EUR 11.61
1

STMicroelectronics MOSFET, STW9N150, N-Canal-Canal, 8 A, 1.500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW9N150, N-Canal-Canal, 8 A, 1.500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 8 A, 1.500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 320 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW9N150

EUR 11.56
1

STMicroelectronics MOSFET, STW45NM50, N-Canal-Canal, 45 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW45NM50, N-Canal-Canal, 45 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 417 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW45NM50

EUR 12.07
1

STMicroelectronics MOSFET, STW45NM60, N-Canal-Canal, 45 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW45NM60, N-Canal-Canal, 45 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 417 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW45NM60

EUR 12.68
1

STMicroelectronics MOSFET, STW13NK100Z, N-Canal-Canal, 13 A, 1000 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW13NK100Z, N-Canal-Canal, 13 A, 1000 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 13 A, 1000 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 700 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 350000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW13NK100Z

EUR 10.37
1