STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,02 Ω, 98 A, H2PAK-7
STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,02 Ω, 98 A, H2PAK-7, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTH100N65G2-7AG