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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 80 mΩ, 53 A, ISOTOP, Montaggio a pannello

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 80 mΩ, 53 A, ISOTOP, Montaggio a pannello

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 80 mΩ, 53 A, ISOTOP, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 460 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STE53NC50

EUR 39.49
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 40 A, ISOTOP, Montaggio a pannello

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 40 A, ISOTOP, Montaggio a pannello

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 40 A, ISOTOP, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 460 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 37.65
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 40 A, ISOTOP, Montaggio a pannello

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 40 A, ISOTOP, Montaggio a pannello

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 40 A, ISOTOP, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 460 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 40.86
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 80 mΩ, 53 A, ISOTOP, Montaggio a pannello

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 80 mΩ, 53 A, ISOTOP, Montaggio a pannello

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 80 mΩ, 53 A, ISOTOP, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 460 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STE53NC50

EUR 40.00
1

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 460000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 9.1mm, MPN: STE40NC60

EUR 37.70
1

STMicroelectronics MOSFET, STE53NC50, N-Canal-Canal, 53 A, 500 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STE53NC50, N-Canal-Canal, 53 A, 500 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 53 A, 500 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 460 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STE53NC50

EUR 39.49
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 460 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 37.65
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 460 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 40.86
1

STMicroelectronics MOSFET, STE53NC50, N-Canal-Canal, 53 A, 500 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STE53NC50, N-Canal-Canal, 53 A, 500 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 53 A, 500 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 460 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STE53NC50

EUR 40.00
1

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 460 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 37.65
1

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 460000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 40.86
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 53 A 500 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 53 A 500 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 53 A 500 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 460 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STE53NC50

EUR 39.49
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 53 A 500 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 53 A 500 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 53 A 500 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 460 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STE53NC50

EUR 40.00
1