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STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK 11 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK 11 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK 11 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 360 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD13N60DM2

EUR 1.94
3

STMicroelectronics MOSFET, STD13N60DM2, N-Canal-Canal, 11 A, 3-Pin, DPAK Simple

STMicroelectronics MOSFET, STD13N60DM2, N-Canal-Canal, 11 A, 3-Pin, DPAK Simple

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 11 A, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 360 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STD13N60DM2

EUR 1.05
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.97
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 11.57
1

STMicroelectronics MOSFET, STF13NM60N, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF13NM60N, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 360 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 16.4mm, MPN: STF13NM60N

EUR 3.53
1