STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD13N60DM2