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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 4.94

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 4.94

1

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, BZW50-180, 5000W, R 6, 2-Pines

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, 5000W, R 6, 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 410V, Tensión Mínima de Ruptura: 200V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Corte Inversa Máxima: 180V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 146A, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Diámetro: 9.1mm, Dimensiones: 9.1 (Dia.) x 9.1mm, MPN: BZW50-180

EUR 2.78

1

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, BZW50-180, 5000W, R 6, 2-Pines

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, 5000W, R 6, 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 410V, Tensión Mínima de Ruptura: 200V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Corte Inversa Máxima: 180V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 146A, Dimensiones: 9.1 (Dia.) x 9.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: BZW50-180

EUR 2.96

1

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, BZW50-180, 5000W, R 6, 2-Pines

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, 5000W, R 6, 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 410V, Tensión Mínima de Ruptura: 200V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Corte Inversa Máxima: 180V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 146A, Dimensiones: 9.1 (Dia.) x 9.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: BZW50-180

EUR 2.77

1

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 4.94

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: STH200, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 5.04

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: STH200, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 4.19

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Série: STH200, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 5.04

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Série: STH200, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 4.19

1

STMicroelectronics MOSFET, RF3L05250CB4, 90 V, 5-Pin, LBB RF3L

STMicroelectronics MOSFET, 90 V, 5-Pin, LBB RF3L, MPN: RF3L05250CB4

EUR 161.47

1

STMicroelectronics MOSFET, Radiateur à main 90 V, 5 broches

STMicroelectronics MOSFET, Radiateur à main 90 V, 5 broches, MPN: RF3L05250CB4

EUR 161.47

1

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 5.04

1

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 4.19

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.8mm, MPN: STH310N10F7-2

EUR 4.87

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.8mm, MPN: STH310N10F7-6

EUR 5.61

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 2.85

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.25mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 3.27

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 5.19

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.25mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 5.96

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP310N10F7

EUR 4.31

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.8mm, MPN: STH270N8F7-2

EUR 3.92

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 4.8mm, MPN: STH310N10F7-6

EUR 5.61

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 4.8mm, MPN: STH310N10F7-2

EUR 4.87

1

STMicroelectronics MOSFET, H ?PAK-7 90 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET, H ?PAK-7 90 A 1200 V, 7 broches, MPN: SCTH70N120G2V-7

EUR 39.03

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, BZW50-180, 5000W, R 6, 2-Pines

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, BZW50-180, 5000W, R 6, 2-Pines

STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional, BZW50-180, 5000W, R 6, 2-Pines

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET, RF3L05250CB4, 90 V, 5-Pin, LBB RF3L

STMicroelectronics MOSFET, Radiateur à main 90 V, 5 broches

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET, H ?PAK-7 90 A 1200 V, 7 broches

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