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Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM7N90CZ C0G, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM7N90CZ C0G, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM7N90CZ C0G

EUR 5.92
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM1NB60CH C5G, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM1NB60CH C5G, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 39 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM1NB60CH C5G

EUR 0.34
1

Taiwan Semiconductor Transistor, TSB772CK C0G, PNP 3 A -30 V TO-126, 3 pines, 100 MHz, Simple

Taiwan Semiconductor Transistor, TSB772CK C0G, PNP 3 A -30 V TO-126, 3 pines, 100 MHz, Simple

Taiwan Semiconductor Transistor, PNP 3 A -30 V TO-126, 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 10 W, Tensión Base Máxima del Colector: -50 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 7.5 x 2.55 x 10.85mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: -0.5 V, MPN: TSB772CK C0G

EUR 0.12
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM1NB60CH C5G, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM1NB60CH C5G, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 39 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM1NB60CH C5G

EUR 0.33
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM7N90CZ C0G, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM7N90CZ C0G, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM7N90CZ C0G

EUR 21.80
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM7N90CZ C0G, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM7N90CZ C0G, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM7N90CZ C0G

EUR 6.08
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM1NB60CH C5G, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM1NB60CH C5G, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 39 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM1NB60CH C5G

EUR 0.34
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM60NB1R4CP ROG, N-Canal-Canal, 3,3 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM60NB1R4CP ROG, N-Canal-Canal, 3,3 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 3,3 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,4 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 38 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM60NB1R4CP ROG

EUR 0.64
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM6N60CP ROG, N-Canal-Canal, 6 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM6N60CP ROG, N-Canal-Canal, 6 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 6 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,25 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 89 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.5V, MPN: TSM6N60CP ROG

EUR 0.34
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2N100CP ROG, N-Canal-Canal, 1,85 A, 1.000 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2N100CP ROG, N-Canal-Canal, 1,85 A, 1.000 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 1,85 A, 1.000 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 77 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM2N100CP ROG

EUR 1.11
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM230N06CP ROG, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM230N06CP ROG, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 28 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 53 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1V, MPN: TSM230N06CP ROG

EUR 0.57
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM70N1R4CP ROG, N-Canal-Canal, 3,3 A, 700 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM70N1R4CP ROG, N-Canal-Canal, 3,3 A, 700 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 3,3 A, 700 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,4 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 38 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM70N1R4CP ROG

EUR 1.41
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM120N06LCP ROG, N-Canal-Canal, 70 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM120N06LCP ROG, N-Canal-Canal, 70 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1V, MPN: TSM120N06LCP ROG

EUR 0.45
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM6N60CP ROG, N-Canal-Canal, 6 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM6N60CP ROG, N-Canal-Canal, 6 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET ROG, N-Canal-Canal, 6 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,25 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 89 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM6N60CP

EUR 0.34
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM060N03CP ROG, N-Canal-Canal, 80 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM060N03CP ROG, N-Canal-Canal, 80 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 80 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 54 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM060N03CP ROG

EUR 1.42
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM60NB1R4CP ROG, N-Canal-Canal, 3,3 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM60NB1R4CP ROG, N-Canal-Canal, 3,3 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 3,3 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,4 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 38 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM60NB1R4CP ROG

EUR 0.64
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM70N900CP ROG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 700 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM70N900CP ROG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 700 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 4,5 A, 700 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM70N900CP ROG

EUR 1.67
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2N100CP ROG, N-Canal-Canal, 1,85 A, 1.000 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2N100CP ROG, N-Canal-Canal, 1,85 A, 1.000 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 1,85 A, 1.000 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 77 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM2N100CP ROG

EUR 1.14
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM230N06CP ROG, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM230N06CP ROG, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 28 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 53 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM230N06CP ROG

EUR 0.66
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM4NB60CP ROG, N-Canal-Canal, 4 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM4NB60CP ROG, N-Canal-Canal, 4 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET ROG, N-Canal-Canal, 4 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM4NB60CP

EUR 0.42
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM70N900CP ROG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 700 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM70N900CP ROG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 700 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 4,5 A, 700 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM70N900CP ROG

EUR 1.67
1