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Taiwan Semiconductor Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, TO-92, 3 broches

Taiwan Semiconductor Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 4.7 x 4.7 x 3.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 4.7mm, MPN: TS13003CT A3G

EUR 0.10

1

Taiwan Semiconductor Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, TO-92, 3 broches

Taiwan Semiconductor Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Gain en courant DC minimum: 6, Tension Collecteur Base maximum: 700 V, Tension Emetteur Base maximum: 9 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 4.7 x 4.7 x 3.7mm, Hauteur: 4.7mm, MPN: TS13003CT A3G

EUR 0.09

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 80 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 80 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 54 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: TSM060N03CP ROG

EUR 1.23

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: TSM090N03CP ROG

EUR 0.57

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-251 1 A 600 V, 3 broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-251 1 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 39 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: TSM1NB60CH C5G

EUR 0.34

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-251 1 A 600 V, 3 broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-251 1 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 39 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM1NB60CH C5G

EUR 0.34

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-251 1 A 600 V, 3 broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-251 1 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 39 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM1NB60CH C5G

EUR 0.33

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 4 A 600 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 4 A 600 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM4NB60CP

EUR 0.42

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 50 A 60 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 50 A 60 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 28 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 53 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM230N06CP ROG

EUR 0.97

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 1,85 A 1000 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 1,85 A 1000 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 77 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: TSM2N100CP ROG

EUR 1.11

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM090N03CP

EUR 0.77

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 600 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 600 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: TSM60NB1R4CP ROG

EUR 0.64

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 8 A 700 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 8 A 700 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM70N600CP

EUR 1.62

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM090N03CP

EUR 0.66

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 80 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 80 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 54 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM060N03CP ROG

EUR 1.42

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 1,85 A 1000 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 1,85 A 1000 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 77 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM2N100CP ROG

EUR 1.41

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 50 A 60 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 50 A 60 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 28 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 53 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1V, MPN: TSM230N06CP ROG

EUR 0.57

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 600 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 600 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM60NB1R4CP ROG

EUR 0.64

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 4,5 A 700 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 4,5 A 700 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM70N900CP ROG

EUR 1.67

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 700 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 700 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: TSM70N1R4CP ROG

EUR 1.41

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 600 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 600 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM60NB1R4CP ROG

EUR 0.65

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 80 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 80 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 54 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM060N03CP ROG

EUR 0.83

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 6 A 600 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 6 A 600 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,25 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 89 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM6N60CP

EUR 0.34

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 700 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 700 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.57mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM70N1R4CP

EUR 1.60

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 1,85 A 1000 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 1,85 A 1000 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 77 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TSM2N100CP ROG

EUR 1.14

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Genre

Marchand

Prix (EUR)

Taiwan Semiconductor Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, TO-92, 3 broches

Taiwan Semiconductor Transistor, NPN Simple, 1,5 A, 400 V, TO-92, 3 broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 80 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-251 1 A 600 V, 3 broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-251 1 A 600 V, 3 broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-251 1 A 600 V, 3 broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 4 A 600 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 50 A 60 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 1,85 A 1000 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 600 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 8 A 700 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 55 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 80 A 30 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 1,85 A 1000 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 50 A 60 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 600 V, 3 + Tab broches

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 700 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 3,3 A 600 V, 3 + Tab broches

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 80 A 30 V, 3 + Tab broches

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Taiwan Semiconductor MOSFET canal N,, TO-252 1,85 A 1000 V, 3 + Tab broches

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