Texas Instruments MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches
Texas Instruments MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.1V, Hauteur: 4.83mm, Longueur: 10.67mm, MPN: CSD19536KTTT