Texas Instruments MOSFET, canale N, 20 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro
Texas Instruments MOSFET, canale N, 20 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 118 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, Altezza: 16.51mm, Lunghezza: 10.67mm, MPN: CSD19534KCS