hakomi mindfulness-centered somatic psychotherapy: a comprehensive guide to theory and practice de EUR 1 | Voir les prix les plus bas et des offres sur css.lazzaweb.dk

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 0.91

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 4.55

1

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.9 x 4.8 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.79

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.03

1

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.90

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.9 x 4.8 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 1.85

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.5mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 20mm, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.9mm, Ancho: 4.8mm, Altura: 20mm, Dimensiones: 15.9 x 4.8 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.64

1

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 10mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 15mm, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.14

1

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 10mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 15mm, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.80

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.5mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 20mm, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.89

1

Toshiba Transistor, 2SC5200N(S1,E,S), NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SC5200N(S1,E,S)

EUR 2.11

1

Toshiba MOSFET, TK090A65Z,S4X(S, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-220SIS TK090A65Z Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-220SIS TK090A65Z Silicio, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TK090A65Z,S4X(S

EUR 8.54

1

Toshiba MOSFET, TK090N65Z,S1F(S, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 TK090N65Z Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 TK090N65Z Silicio, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TK090N65Z,S1F(S

EUR 10.53

1

Toshiba MOSFET, TK090A65Z,S4X(S, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-220SIS TK090A65Z Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-220SIS TK090A65Z Silicio, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TK090A65Z,S4X(S

EUR 5.08

1

Toshiba MOSFET, TK090N65Z,S1F(S, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 TK090N65Z Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 TK090N65Z Silicio, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TK090N65Z,S1F(S

EUR 6.25

1

Toshiba Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 20.5 x 26 x 5.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SC5200-O(S1,F,S)

EUR 2.63

1

Toshiba Transistor, 2SA1943N(S1,E,S), PNP 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, PNP 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Base Máxima del Colector: -230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SA1943N(S1,E,S)

EUR 2.49

1

Toshiba MOSFET, TK090Z65Z,S1F(O, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 4-Pin, TO-247-4L(T TK090Z65Z Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 4-Pin, TO-247-4L(T TK090Z65Z Silicio, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TK090Z65Z,S1F(O

EUR 18.44

1

Toshiba MOSFET, TK090Z65Z,S1F(O, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 4-Pin, TO-247-4L(T TK090Z65Z Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 4-Pin, TO-247-4L(T TK090Z65Z Silicio, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TK090Z65Z,S1F(O

EUR 10.97

1

Toshiba IGBT, GT40WR21,Q(O, N-Canal, 40 A, 1800 V, TO-3P, 3-Pines, 0.55μs Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 40 A, 1800 V, TO-3P, 3-Pines, 0.55μs Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 375 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Velocidad de Conmutación: 0.55µs, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Capacitancia de puerta: 4500pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: 175 °C, MPN: GT40WR21,Q(O

EUR 3.47

1

Awardvindende Google Marketing Powerhouse

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba Transistor, 2SC5200N(S1,E,S), NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba MOSFET, TK090A65Z,S4X(S, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-220SIS TK090A65Z Silicio

Toshiba MOSFET, TK090N65Z,S1F(S, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 TK090N65Z Silicio

Toshiba MOSFET, TK090A65Z,S4X(S, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-220SIS TK090A65Z Silicio

Toshiba MOSFET, TK090N65Z,S1F(S, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 TK090N65Z Silicio

Toshiba Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, 2SA1943N(S1,E,S), PNP 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba MOSFET, TK090Z65Z,S1F(O, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 4-Pin, TO-247-4L(T TK090Z65Z Silicio

Toshiba MOSFET, TK090Z65Z,S1F(O, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 4-Pin, TO-247-4L(T TK090Z65Z Silicio

Toshiba IGBT, GT40WR21,Q(O, N-Canal, 40 A, 1800 V, TO-3P, 3-Pines, 0.55μs Simple

Powered by Cobiro