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Toshiba IGBT, GT30J322(Q),, 30 A, 600 V, TO-3PNIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 30 A, 600 V, TO-3PNIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 15.8 x 5 x 21mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT30J322(Q)

EUR 3.33

1

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 4.55

1

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.9 x 4.8 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.79

1

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 0.91

1

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.9 x 4.8 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 1.85

1

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.03

1

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.90

1

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 20.5 x 26 x 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5200-O(S1,F,S)

EUR 2.63

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5200N(S1,E,S)

EUR 2.11

1

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Longueur: 15.5mm, Largeur: 4.5mm, Hauteur: 20mm, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.89

1

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Longueur: 10mm, Largeur: 4.5mm, Hauteur: 15mm, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.80

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.5 x 4.5 x 20mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.66

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PN, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PN, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 19 x 15.9 x 4.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5358-O(Q)

EUR 1.57

1

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Longueur: 10mm, Largeur: 4.5mm, Hauteur: 15mm, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.14

1

Toshiba Transistor, PNP Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches

Toshiba Transistor, PNP Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 26 x 20.5 x 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SA1987-O(Q)

EUR 3.53

1

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Longueur: 15.5mm, Largeur: 4.5mm, Hauteur: 20mm, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Longueur: 15.9mm, Largeur: 4.8mm, Hauteur: 20mm, Dimensions: 15.9 x 4.8 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.64

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 4.8 x 20mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 1.85

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.5 x 4.5 x 20mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 100kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10 x 4.5 x 15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.5 x 4.5 x 20mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 2.66

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba IGBT, GT30J322(Q),, 30 A, 600 V, TO-3PNIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PN, 3 broches

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba Transistor, PNP Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

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