Vishay MOSFET, SiZF920DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 197 (Canal 2) A, 76 (Canal 1) A, 30 (Canal 1) V, 30 (Canal 2) V., 8-Pin,
Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 197 (Canal 2) A, 76 (Canal 1) A, 30 (Canal 1) V, 30 (Canal 2) V., 8-Pin,, Tipo de Encapsulado: PowerPAIR 6 x 5 F, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0014 (canal 2) Ω, 0,005 (canal 1) Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V, Disipación de Potencia Máxima: 28 W, 74 W, Configuración de transistor: Doble, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiZF920DT-T1-GE3