Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E
Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3