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Vishay MOSFET canal N,, A-220 150 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 150 A 200 V, 3 broches, MPN: SUP90100E-GE3

EUR 2.80

1

Vishay MOSFET canal N,, A-220 8,4 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 8,4 A 600 V, 3 broches, MPN: SiHA186N60EF-GE3

EUR 2.65

1

Vishay MOSFET canal P,, A-220 150 A 100 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, A-220 150 A 100 V, 3 broches, MPN: SUP70042E-GE3

EUR 1.87

1

Vishay Sensore a infrarossi

Vishay Sensore a infrarossi, MPN: TSOP31240

EUR 0.73

1

Vishay Sensore a infrarossi

Vishay Sensore a infrarossi, MPN: TSOP31240

EUR 0.73

1

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 35A, VRRM 400V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 35A, VRRM 400V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 500A, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, Tensione di forward di picco: 1.1V, Corrente inversa di picco: 5µA, Dimensioni: 28.6 x 28.6 x 7.7mm, Lunghezza: 28.6mm, MPN: VS-GBPC3504A

EUR 4.96

1

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 600V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 600V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 420A, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, Tensione di forward di picco: 1.1V, Corrente inversa di picco: 5µA, Dimensioni: 28.6 x 28.6 x 7.7mm, Lunghezza: 28.6mm, MPN: VS-GBPC2506A

EUR 4.56

1

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 200V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 200V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 420A, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, Tensione di forward di picco: 1.1V, Corrente inversa di picco: 5µA, Dimensioni: 28.6 x 28.6 x 7.7mm, Lunghezza: 28.6mm, MPN: VS-GBPC2502A

EUR 4.74

1

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 400V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 400V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 420A, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, Tensione di forward di picco: 1.1V, Corrente inversa di picco: 5µA, Dimensioni: 28.6 x 28.6 x 7.7mm, Lunghezza: 28.6mm, MPN: VS-GBPC2504A

EUR 4.76

1

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 800V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 800V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 420A, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, Tensione di forward di picco: 1.1V, Corrente inversa di picco: 5µA, Dimensioni: 28.6 x 28.6 x 7.7mm, Lunghezza: 28.6mm, MPN: VS-GBPC2508A

EUR 4.63

1

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 1000V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 1000V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 420A, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, Tensione di forward di picco: 1.1V, Corrente inversa di picco: 5µA, Dimensioni: 28.6 x 28.6 x 7.7mm, Lunghezza: 28.6mm, MPN: VS-GBPC2510A

EUR 4.98

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-251

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-251, Tensione massima drain source: 850 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3

EUR 0.67

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-251

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-251, Tensione massima drain source: 850 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3

EUR 1.40

1

Vishay MOSFET canal N,, A-220 8,4 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 8,4 A 600 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,168 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 3 → 5V, Série: EF, MPN: SiHA186N60EF-GE3

EUR 3.10

1

Vishay MOSFET canal N,, A-220 8,4 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 8,4 A 600 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,168 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 3 → 5V, Série: EF, MPN: SiHA186N60EF-GE3

EUR 2.64

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,193 Ω, 12 A, 18 A., TO-220AB

Vishay MOSFET, canale N, 0,193 Ω, 12 A, 18 A., TO-220AB, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Serie: EF, MPN: SIHP186N60EF-GE3

EUR 3.24

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,193 Ω, 12 A, 18 A., TO-220AB

Vishay MOSFET, canale N, 0,193 Ω, 12 A, 18 A., TO-220AB, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Serie: EF, MPN: SIHP186N60EF-GE3

EUR 3.43

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,125 Ω, 16 A, 25 A., TO-220AB

Vishay MOSFET, canale N, 0,125 Ω, 16 A, 25 A., TO-220AB, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Serie: EF, MPN: SIHP125N60EF-GE3

EUR 4.39

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252, Tensione massima drain source: 850 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 0.73

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252, Tensione massima drain source: 850 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 1.22

1

Vishay MOSFET canal P,, A-220 150 A 100 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, A-220 150 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: N-Channel 100 V, MPN: SUP70042E-GE3

EUR 2.01

1

Vishay MOSFET canal P,, A-220 150 A 100 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, A-220 150 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: N-Channel 100 V, MPN: SUP70042E-GE3

EUR 2.08

1

Vishay MOSFET canal N,, A-220 150 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 150 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,0109 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: TrenchFET, MPN: SUP90100E-GE3

EUR 3.11

1

Vishay MOSFET canal N,, A-220 150 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 150 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,0109 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: TrenchFET, MPN: SUP90100E-GE3

EUR 1.94

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,7 Ω, 4 A, 6,4 A., TO-252

Vishay MOSFET, canale N, 0,7 Ω, 4 A, 6,4 A., TO-252, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: SIHD690N60E-GE3

EUR 1.60

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay MOSFET canal N,, A-220 150 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 8,4 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, A-220 150 A 100 V, 3 broches

Vishay Sensore a infrarossi

Vishay Sensore a infrarossi

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 35A, VRRM 400V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 600V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 200V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 400V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 800V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay Raddrizzatore a ponte, Monofase,, Ifwd 25A, VRRM 1000V, GBPC-A, Montaggio a vite, 4 Pin

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-251

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-251

Vishay MOSFET canal N,, A-220 8,4 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 8,4 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET, canale N, 0,193 Ω, 12 A, 18 A., TO-220AB

Vishay MOSFET, canale N, 0,193 Ω, 12 A, 18 A., TO-220AB

Vishay MOSFET, canale N, 0,125 Ω, 16 A, 25 A., TO-220AB

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252

Vishay MOSFET canal P,, A-220 150 A 100 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, A-220 150 A 100 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 150 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, A-220 150 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET, canale N, 0,7 Ω, 4 A, 6,4 A., TO-252

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