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Vishay MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 F, 8 broches

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 F, 8 broches

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 F, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 197 A (canal 2), 76 A (canal 1), Tension Drain Source maximum: 30 V (canal 1), 30 V (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0014 Ω (canal 2), 0,005 Ω (canal 1), Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V, Dissipation de puissance maximum: 28 W, 74 W, Configuration du transistor: Double, Tension Grille Source maximum: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiZF920DT-T1-GE3

EUR 0.65
3

Vishay MOSFET, canale N, 0,0014 Ω (canale 2), 0,005 Ω (canale 1), 197 (Canale 2) A, 76 (Canale 1) A, PowerPAIR 6 x 5 F,

Vishay MOSFET, canale N, 0,0014 Ω (canale 2), 0,005 Ω (canale 1), 197 (Canale 2) A, 76 (Canale 1) A, PowerPAIR 6 x 5 F,

Vishay MOSFET, canale N, 0,0014 Ω (canale 2), 0,005 Ω (canale 1), 197 (Canale 2) A, 76 (Canale 1) A, PowerPAIR 6 x 5 F,, Tensione massima drain source: 30 (Canale 1) V, 30 (Canale 2) V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V, Tensione di soglia gate minima: 1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V, Dissipazione di potenza massima: 28 W, 74 W., Configurazione transistor: Doppio, Tensione massima gate source: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiZF920DT-T1-GE3

EUR 0.64
1

Vishay MOSFET, SiZF920DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 197 (Canal 2) A, 76 (Canal 1) A, 30 (Canal 1) V, 30 (Canal 2) V., 8-Pin,

Vishay MOSFET, SiZF920DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 197 (Canal 2) A, 76 (Canal 1) A, 30 (Canal 1) V, 30 (Canal 2) V., 8-Pin,

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 197 (Canal 2) A, 76 (Canal 1) A, 30 (Canal 1) V, 30 (Canal 2) V., 8-Pin,, Tipo de Encapsulado: PowerPAIR 6 x 5 F, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0014 (canal 2) Ω, 0,005 (canal 1) Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V, Disipación de Potencia Máxima: 28 W, 74 W, Configuración de transistor: Doble, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiZF920DT-T1-GE3

EUR 0.64
1