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Vishay Siliconix Diode CMS, 40A, 45V, TO-263AB

Vishay Siliconix Diode CMS, 40A, 45V, TO-263AB, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 670mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 240A, MPN: VBT4045BP-E3/4W

EUR 0.67

1

Vishay Siliconix Diode Montage panneau, 300A, 45V, TO-240AA

Vishay Siliconix Diode Montage panneau, 300A, 45V, TO-240AA, Configuration de diode: Cathode commune, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 690mV, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 8.6kA, MPN: VS-VSKCS301/045

EUR 36.90

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 1.11

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 107 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: SQD40061EL_GE3

EUR 1.24

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 107 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQD40061EL_GE3

EUR 0.69

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 1.31

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 107 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQD40061EL_GE3

EUR 1.45

1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 0.69

1

Vishay Siliconix Transistor MOSFET canal N,, TO-220AB 60 A 60 V, 3 broches

Vishay Siliconix Transistor MOSFET canal N,, TO-220AB 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 19 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Charge de Grille type @ Vgs: 33 nC @ 10 V, MPN: SUP60N06-12P-GE3

EUR 0.75

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQM40016EM_GE3

EUR 3.04

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQM40022EM_GE3

EUR 1.54

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQM40016EM_GE3

EUR 1.60

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQM40022EM_GE3

EUR 1.08

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQM40016EM_GE3

EUR 3.04

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQM40022EM_GE3

EUR 1.54

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay Siliconix Diode CMS, 40A, 45V, TO-263AB

Vishay Siliconix Diode Montage panneau, 300A, 45V, TO-240AA

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix Transistor MOSFET canal N,, TO-220AB 60 A 60 V, 3 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 + Tab broches

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