onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,16 Ω, 17,3 A, TO-247
onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,16 Ω, 17,3 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NVH, MPN: NVH4L160N120SC1