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StarTech.com Slimline SATA Female to LP4 and SATA

StarTech.com Slimline SATA Female to LP4 and SATA, Conector A: SATA extraplano, Conector A Género: Hembra, Número de Contactos Conector A: 13, Conector B: LP4; SATA, Conector B Género: Macho/Hembra, Número de Contactos Conector B: 4;7, Longitud: 508mm, Color de la Funda: Rojo, MPN: SLSATAF20

EUR 12.90

1

STMicroelectronics Kit de desarrollo Driver MOSFET System-in-package Integrating Microstepping Controller and 10 A

STMicroelectronics Kit de desarrollo Driver MOSFET System-in-package Integrating Microstepping Controller and 10 A, Para Usar Con: Controlador programable SPI, Dispositivo mostrado: POWERSTEP01, Nombre del kit: System-in-package Integrating Microstepping Controller and 10 A Power MOSFETs

EUR 11.89

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STMicroelectronics Kit de desarrollo Driver MOSFET System-in-package Integrating Microstepping Controller and 10 A

STMicroelectronics Kit de desarrollo Driver MOSFET System-in-package Integrating Microstepping Controller and 10 A, MPN: POWERSTEP01

EUR 10.75

1

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PF

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PF, MPN: R6050JNZC17

EUR 13.91

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ROHM MOSFET, R6070JNZ4C13, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247G

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247G, MPN: R6070JNZ4C13

EUR 12.09

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Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines

Infineon IGBT, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines, MPN: AUIRGP4062D-E

EUR 14.29

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ROHM IGBT, 80 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1

ROHM IGBT, 80 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±30V, Disipación de Potencia Máxima: 555 W, Configuración: Único, MPN: RGS80TSX2DGC11

EUR 10.19

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IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 880 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Energía nominal: 3mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 13.05

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IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Energía nominal: 5.2mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 10.35

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IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Energía nominal: 5.2mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 11.75

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IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 880 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Energía nominal: 3mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 11.98

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IXYS IGBT, IXXK100N60C3H1, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-264, 3-Pines, 20 to 60kHz 1 Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-264, 3-Pines, 20 to 60kHz 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 695 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Energía nominal: 600mJ, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXXK100N60C3H1

EUR 18.56

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ROHM MOSFET, SCT2160KEGC11, N-Canal-Canal, 22 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247N SiC

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 22 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247N SiC, MPN: SCT2160KEGC11

EUR 15.35

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ROHM MOSFET, SCT2160KEHRC11, N-Canal-Canal, 22 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247N SiC

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 22 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247N SiC, MPN: SCT2160KEHRC11

EUR 16.44

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Infineon IGBT, IKY75N120CS6XKSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247 MÁS, 4-Pines 1

Infineon IGBT, N-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247 MÁS, 4-Pines 1, MPN: IKY75N120CS6XKSA1

EUR 15.57

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Infineon MOSFET, IPZA65R018CFD7XKSA1, N-Canal-Canal, 106 A, 700 V, 4-Pin, TO-247 CoolMOS

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 106 A, 700 V, 4-Pin, TO-247 CoolMOS, MPN: IPZA65R018CFD7XKSA1

EUR 10.58

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STMicroelectronics MOSFET, STWA68N65DM6, N-Canal-Canal, 48 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 STWA68N65DM6 Si

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Seeed Studio Grove - Temp and Humi and Barometer Sensor - 101020193

Seeed Studio Grove - Temp and Humi and Barometer Sensor - 101020193, Para Usar Con: Interfaz compatible con Grove fácil de usar

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ROHM MOSFET, SCT3120AW7TL, N-Canal-Canal, 21 A, 650 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 21 A, 650 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC, MPN: SCT3120AW7TL

EUR 10.18

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ROHM MOSFET, SCT3080AW7TL, N-Canal-Canal, 29 A, 650 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 29 A, 650 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC, MPN: SCT3080AW7TL

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Infineon MOSFET, IPW60R099CPAFKSA1, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 8-Pin, TO-247 IPW60R Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 8-Pin, TO-247 IPW60R Si, MPN: IPW60R099CPAFKSA1

EUR 10.97

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ROHM MOSFET, SCT3105KW7TL, N-Canal-Canal, 23 A, 1.200 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 23 A, 1.200 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC, MPN: SCT3105KW7TL

EUR 12.96

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Infineon MOSFET, AUIRFP4568, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Silicio

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Silicio, MPN: AUIRFP4568

EUR 13.70

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ROHM MOSFET, SCT3080KW7TL, N-Canal-Canal, 30 A, 1.200 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 1.200 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC, MPN: SCT3080KW7TL

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ROHM MOSFET, SCT3060AW7TL, N-Canal-Canal, 38 A, 650 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC

ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 38 A, 650 V, 7-Pin, TO-263 SCT SiC, MPN: SCT3060AW7TL

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Marchand

Prix (EUR)

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STMicroelectronics Kit de desarrollo Driver MOSFET System-in-package Integrating Microstepping Controller and 10 A

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ROHM MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PF

ROHM MOSFET, R6070JNZ4C13, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247G

Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines

ROHM IGBT, 80 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 to 30kHz 1 Simple

IXYS IGBT, IXXK100N60C3H1, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-264, 3-Pines, 20 to 60kHz 1 Simple

ROHM MOSFET, SCT2160KEGC11, N-Canal-Canal, 22 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247N SiC

ROHM MOSFET, SCT2160KEHRC11, N-Canal-Canal, 22 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247N SiC

Infineon IGBT, IKY75N120CS6XKSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247 MÁS, 4-Pines 1

Infineon MOSFET, IPZA65R018CFD7XKSA1, N-Canal-Canal, 106 A, 700 V, 4-Pin, TO-247 CoolMOS

STMicroelectronics MOSFET, STWA68N65DM6, N-Canal-Canal, 48 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 STWA68N65DM6 Si

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