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Schurter SMS IP67 J lang/long

Schurter SMS IP67 J lang/long, MPN: 1241.1619.23

EUR 2.81

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Schaffner Clip per dissipatore per KL-195

Schaffner Clip per dissipatore per KL-195, Per uso con: Dissipatore KL-195, MPN: KL195CLIP

EUR 0.44

1

Infineon MOSFET, canale N, 195 m.Ω, 12 A, ThinPAK 8x8

Infineon MOSFET, canale N, 195 m.Ω, 12 A, ThinPAK 8x8, MPN: IPL65R195C7AUMA1

EUR 1.87

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 195 A, SuperSO8 5x6, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 195 A, SuperSO8 5x6, Montaggio superficiale, MPN: BSC014N04LSIATMA1

EUR 3.12

1

Infineon MOSFET, canale N, 195 m.Ω, 12 A, ThinPAK 8x8

Infineon MOSFET, canale N, 195 m.Ω, 12 A, ThinPAK 8x8, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: IPL60R, MPN: IPL65R195C7AUMA1

EUR 2.04

1

Infineon MOSFET, canale N, 195 m.Ω, 12 A, ThinPAK 8x8

Infineon MOSFET, canale N, 195 m.Ω, 12 A, ThinPAK 8x8, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: IPL60R, MPN: IPL65R195C7AUMA1

EUR 3.04

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 195 mΩ, 15 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 195 mΩ, 15 A, TO-220, Su foro, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 195 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP26N60DM6

EUR 3.70

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 195 A, SuperSO8 5x6, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 195 A, SuperSO8 5x6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Serie: OptiMOS, MPN: BSC014N04LSIATMA1

EUR 3.40

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 195 A, SuperSO8 5x6, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 195 A, SuperSO8 5x6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Serie: OptiMOS, MPN: BSC014N04LSIATMA1

EUR 1.88

1

onsemi MOSFET, canale P, 195 mΩ, 3,7 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 195 mΩ, 3,7 A, MLP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,5 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 0.75mm, Lunghezza: 2mm, MPN: FDMA1023PZ

EUR 0.47

1

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 366 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 20.7mm, MPN: IRFP7430PBF

EUR 4.02

1

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 366 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFP7430PBF

EUR 4.12

1

onsemi MOSFET, canale P, 195 mΩ, 3,7 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 195 mΩ, 3,7 A, MLP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,5 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMA1023PZ

EUR 0.35

1

onsemi MOSFET, canale P, 195 mΩ, 3,7 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 195 mΩ, 3,7 A, MLP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,5 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMA1023PZ

EUR 0.91

1

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 366 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFP7430PBF

EUR 3.70

1

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16.51mm, MPN: IRFB7430PBF

EUR 2.27

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Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 341 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 20.7mm, MPN: IRFP7530PBF

EUR 3.35

1

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16.51mm, MPN: IRFB7530PBF

EUR 2.71

1

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16.51mm, MPN: IRFB7437PBF

EUR 1.21

1

Vishay MOSFET, canale P, 2,6 mΩ, 195 A, PowerPAK SO, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale P, 2,6 mΩ, 195 A, PowerPAK SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 104 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +16 V., Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: SIRA99DP-T1-GE3

EUR 2.46

1

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFB7530PBF

EUR 3.33

1

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 341 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFP7530PBF

EUR 3.34

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Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFB7430PBF

EUR 3.30

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Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 341 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFP7530PBF

EUR 3.72

1

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFB7430PBF

EUR 2.96

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Marque

Couleur

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Schurter SMS IP67 J lang/long

Schaffner Clip per dissipatore per KL-195

Infineon MOSFET, canale N, 195 m.Ω, 12 A, ThinPAK 8x8

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 195 A, SuperSO8 5x6, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 195 m.Ω, 12 A, ThinPAK 8x8

Infineon MOSFET, canale N, 195 m.Ω, 12 A, ThinPAK 8x8

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 195 mΩ, 15 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 195 A, SuperSO8 5x6, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 195 A, SuperSO8 5x6, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 195 mΩ, 3,7 A, MLP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO247AC, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 195 mΩ, 3,7 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 195 mΩ, 3,7 A, MLP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Vishay MOSFET, canale P, 2,6 mΩ, 195 A, PowerPAK SO, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

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